氟基等离子体硅刻蚀工艺概览 氟基等离子体硅刻蚀的核心在于氟自由基与硅的强烈化学反应性及其自发刻蚀特性。这些氟自由基，主要来源于六氟化硫SF₆的放电，它们与硅反应迅速且效率极高，产生的氟化硅具有优异的挥发性，从而使得刻蚀过程呈现出显著的各向同性特点。然而，为了实现各向异性刻蚀，即获得垂直侧壁，工艺过程中
体刻蚀加工(Bulk Micromachining)针对硅衬底本身进行深度刻蚀,通过各向异性或各向同性方法可制造高纵横比结构(如深槽、腔体);而面刻蚀加工(Surface Micromachining)通过沉积和刻蚀表面薄膜层形成结构,由于材料层较薄,纵横比较低。 **选项逐项分析**: - **a选项错误**:体刻蚀确实加工基体材料,但面刻蚀加工的并非衬底,...
专利摘要显示，本发明涉及微机电领域，特别涉及一种体硅工艺偏移补偿方法，包括在测试基体的刻蚀面以预设图形进行刻蚀，得到内嵌于测试基体的偏移图形。预设图形内设置多个易于识别的观测点并记录其到预设图形中心位置的距离为极径。偏移图形内存在多个偏移点，测试基体的标记面设置多个偏移标记，且多个偏移标记、偏移点和...
近日,西北农林科技大学本硕校友、德国布伦瑞克工业大学博士毕业生徐久帅和所在团队,揭示了低温深硅刻蚀纳米结构的动态平衡机理。 通过分析和比较不同的微纳制造技术,针对低温深硅刻蚀的物理化学机理和动态平衡反应原理加以深入研究,他们将晶圆级的高深宽复杂微纳加工技术提升到 10 纳米级别,进而提高了微纳制造的应用能力...
等离子体刻蚀新突破:硅垂直通道蚀刻速度翻倍! 科学界传来新突破,一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体,成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍,仅需短短一分钟,便能完成640纳米的蚀刻作业。
介绍了用聚四氟乙烯聚合物覆盖石英反应器中二氯化碳F2/O2等离子体刻蚀硅的基本结果。以刻蚀聚四氟乙烯聚合物为代价,建立了在活性输送化学活性粒子(CAP)条件下,等离子体CCl2F2/O2中硅刻蚀(PCE)的等离子体化学非一致性模型。进行高达180 mkm的硅深度蚀刻30分钟。然而硅的深度蚀刻的各向异性较低。 介绍 纳米和微机电...
Bosch工艺是一种深反应离子刻蚀(DRIE)方法,它采用高浓度的等离子体源,其工艺方法为刻蚀与聚合物屏蔽沉积不断交替,可以取得深宽比很高的刻蚀形貌,甚至可用于硅穿孔(TSV)的技术,且Bosch工艺对硅/氧化硅的选择比较高,刻蚀速率较快。在实验中采用SF6作为刻蚀反应气体,在等离子体中产生SxFy离子和F活性自由基,离子在电场...
最近,来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的科学家们合作设计了一种新的蚀刻工艺。该方法使用氟化氢等离子体,将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了100%。只需要1分钟即可完成640纳米的蚀刻过程。 这一创新的关键在于,在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔,并将分层材料暴露在等...
早在知道速率之前，研究人员就发现轻掺杂掺杂硅的特征通过氯蚀刻是强烈的。有报道称，在中等n掺杂的材料中，（100)和(111）平面之间的刻蚀率比，而在重掺杂硅的蚀刻中没有观察到方向性。与未掺杂的cl源等离子体中，nt硅未掺杂或p型硅的高蚀刻率与电荷转移有关。活化的n型载流子提高了传导带和价带的费米能级，...
1.用途不同:等离子体刻蚀主要应用于微电子学制造,深硅刻蚀多用于制造光学元件。 2.刻蚀深度不同:等离子体刻蚀的刻蚀深度通常在几十到几百纳米,而深硅刻蚀的刻蚀深度则可以达到数百微米。 3.刻蚀速率不同:深硅刻蚀通常比等离子体刻蚀速率慢。 4.刻蚀质量不同:等离子体刻蚀刻蚀质量...