2. 可调性:部分低速晶振的外设支持频率和相位的调整。这种可调性使得低速晶振能够适应更多的应用场景,提高设备的灵活性和通用性。 3. 兼容性:低速晶振的外设接口通常设计得具有良好的兼容性,能够与多种类型的电子设备配合使用。这不仅降低了设备集成的难度,还提高了低速晶振的市场竞争力。 总结来...
低速晶振和高速晶振主要区别在于振荡频率、功耗、稳定性和应用范围等方面。其中,振荡频率是两者最显著的区别,低速晶振多用于低功耗、低速应用,频率比较低,通常不会超过32.768kHz;而高速晶振则适用于高速数据传输和高精度的应用场合,频率一般在100MHz以上。 此外,低速晶振功耗相对较低,稳定性也较好;高速...
面对低速晶振的毛刺现象,首要任务是识别其根源,通常这与输入信号中的高噪声水平息息相关,可能源自信号源、供电系统等多个方面。为了有效应对,我们可以采取以下策略:首先,考虑替换晶振,选择质量上乘且与系统负载相匹配的产品,这是提升稳定性的直接方法;其次,通过在晶振两端加装0.01uf的贴片电容作为滤波措施,可以显著降低...
一般旁路电容选10pF 12pF 20pF等等 都没啥问题 尤其是高速晶振 基本不会出问题 但是对于低速晶振 电容没选对 就很可能不起振 对于STM32L4系列 有个寄存器LSEDRV 起能配置驱动晶振的能力 负载驱动能力高 功耗越大 发热越严重 也越容易烧晶振 所以尽量选择默认值00来配置LSEDRV寄存器 驱动能力最大值为0.5uA/V ...
外部高速晶振通常用于高速串行通信或者高速数据处理,比如超高清视频播放器、无线网络路由器等。当信号处理速度远大于内部时钟速度时,外部高速晶振是必不可少的。 低速晶振的作用 与外部高速晶振不同,低速晶振的频率较低,通常用于时钟同步、低速串行通信以及低速数据处理。低速晶振在一些复杂的系统中经常被使用,比如计算机内...
外部低速晶振可以用来提供精确的时钟信号,使得电子系统的各个模块可以按照统一的时间基准协同工作。具体来说,外部低速晶振可以用来实现以下功能: 1. 时钟同步:将外部低速晶振连接到多个电子模块中,可以使这些模块按照相同的时钟信号进行工作,从而实现时钟同步。 2. 时序控制:外部低速晶振可以作为电子系统中的...
高速晶振和低速晶振在工作频率上存在差异。高速晶振的频率一般在10MHz以上,而低速晶振的频率一般在10MHz以下。因此,在应用场景上,高速晶振常用于高速数据传输、高速计算和高速采集等领域,而低速晶振常用于低速数据传输、低速计算和低速采集等领域。 二、高速晶振和低速晶振的功耗不同 高速...
外部高速晶振 低速晶振作用
关于芯片STM32F103中LSE(低速时钟)32.768KHz晶振的选取,晶诺威科技解释如下: 低速外部时钟 对于LSE,在STM32F103x8B_DS_CH_V10中说明如下: 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体谐振器构成的振荡器产生。在应用中,谐振器和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐...
现象:就是我在使用MSP430FR5887单片机的ESI功能时候,当手碰触到低速晶振时候,导致晶振不稳定,感觉程序运行跑飞了,没有在主循环中运行。 1、我怀疑的是,因为我ESI使用的外部低速的晶振32.768KHZ,其他功能都关闭了,所以手碰触到晶振后,会导致进入ESI中断,我用调试模式有印证有进入ESI中断。