(2)通过循环变形过程引入外部剪切应力，促进位错向细胞壁区域运动，从而在RHEA中提前形成完整的位错网络。这些位错网络集中在细胞结构的细胞壁内，使CP RHEA在达到产率之前达到更高水平的位错网络完整性。(3)CP RHEA中的位错网络在变形过程中与位错相互作用，在细胞壁周围形成大量的钉住点来限制位错的运动。这项工作表...
(1)在高温下,Re原子在拉伸区域的界面位错核心处发生偏析。由于扩散效应,Re的扩散系数显着增加,有助于Re沿着位错线偏析。 (2)降低冷却速度是提高界面位错核心Re浓度的一种快速有效的方法。在γ/γ'界面迁移过程中,再分离会随位错移动。 (3)再分离增强了γ/γ'界面。在位错网络上含有更高浓度的Re的界面可,以更...
(1)在高温下,Re原子在拉伸区域的界面位错核心处发生偏析。由于扩散效应,Re的扩散系数显着增加,有助于Re沿着位错线偏析。 (2)降低冷却速度是提高界面位错核心Re浓度的一种快速有效的方法。在γ/γ'界面迁移过程中,再分离会随位错移动。 (3)再分离增强了γ/γ'界面。在位错网络上含有更高浓度的Re的界面可,以更...
位错是指在传输过程中由于某种原因,信息传输的位置发生了偏移或者出错引起的误码问题。位错通常包括以下几个类型: 1.单个位错。指在传输过程中,只出现一次信息传输偏移或错位; 2.连续位错。指在传输过程中,信息传输偏移或错位连续出现若干次; 3.误码率。指在传输过程中,信息传输偏移或错位引起信息传输错误的概率。
此外,PtNi单晶纳米颗粒中高密度位错线形成的位错网络,抑制了位错线运动,提高位错结构稳定性,使得其在超高电流密度下仍能保持高活性。在碱性介质中,PtNi/NF催化电极在10和1000 mA cm-2下实现了创纪录低的HER过电位-5和63 mV,在1 A cm-2下进行300 h计时电流测试后,活性衰减可以忽略不计。PtNi/NF催化电极表现...
镍基单晶高温合金相界面错配位错网络的演化 evolution of interphase misfit dislocation networks in ni-based single-crystal superalloy,镍基单晶高温合金相界面错配位错网络的演化 evolution of interphase misfit dislocation networks in ni-based single-crystal superalloy,evolution,of,interphase,misfit,dislocation,ne...
用电子显微镜直接观察石墨薄膜中的位错网络和水纹图 关若男,李日升,何怡贞 Full-Text Cite this paper Add to My Lib Abstract: 石墨中位错的电子显微镜观察的研究不但可以了解石墨晶体中位错的结构,而且有可能对于石墨的辐照效应提供有用的知识。 本文报导用电子显微镜观察石墨晶体中的各种位错结构所得到的一些初步...
位错网络与其他位错纠缠在一起,在细胞壁附近形成许多钉住点,阻碍了位错的运动。结果表明,RHEA的循环变形处理在保持50%变形应变不破裂的情况下,屈服强度达到1136 MPa。循环变形加工方法为增材制造合金的强化提供了一条途径,为克服强度和塑性之间的权衡提供了一种解决方案 自青铜时代以来,合金化已被广泛认为是增强金属...
近期,半导体所刘志强研究员团队与北京大学高鹏教授,福州大学吴朝兴教授、郭太良教授,韩国汉阳大学Tae Whan Kim教授团队合作,在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展。 当前对于穿透位错的有效抑制手段有限且低效。为了进一步揭示氮...
为了将位错数据映射为图数据结构,将离散化的位错网络定义为一个“异质图”,在图中节点分为两类:节点N_i(代表位错点)和高斯点GP_i(代表物理特性),节点间通过边进行连接,用以传递信息。对应上图(d)和(e)部分。 既然是PINN的思想,那么核心就是要抽象拼凑出物理信息。也就是文中用于描述位错迁移动力学的核心方...