位错来自同一位错源,具有相同的柏氏矢量;领先位错主要受障碍物对其的阻力和有效的外加切应力,以及其它位错的应力场作用;而其它后面的位错只受外加切应力和其它位错应力场作用。各位错保持平衡时,越靠近障碍物处位错排列越密集。位错塞积群产...
塞积群在晶体中可能引起的种种效应及原因: a. 晶界前塞积群产生的应力集中易使相邻区域发生屈服; b. 塞积群内部相互作用阻碍位错滑移甚至阻碍位错源开动,引起加工硬化。 c. 集中应力超过解理面断裂强度产生裂纹,且在弹性理论中,某些裂纹组态可用塞积群或位错阵列模拟。反馈...
位错塞积通过以下机制阻碍滑移: 1. 1.**[应力集中反向抑制]**:在[障碍物](如[沉淀物]或[林位错])前,移动位错形成[[塞积群(pile-up)]],其[应力场叠加]在障碍处产生强大的[[反向应力场(back stress)]](公式10.60:[ _τ = Gb/l_ ])。 2. 2.**[位错源启动阈值提升]**:反向应力方向与外部应力相...
综上所述,位错塞积是提高复合材料塑性的重要手段之一,通过针对不同复合材料的位错运动机制进行研究,可以采用有针对性的方法来促进位错的塞积效应,从而使材料的塑性得到提高。同时,位错塞积的过程也有利于阻止裂纹的扩展,进一步提高了复合材料的强度和耐久性。因此,在复合材料的研究与制备过程中,应该重视位错塞积...
球状析出相对位错塞积的阻碍相对较弱 。位错的柏氏矢量大小影响其在析出相处的塞积 。较大柏氏矢量的位错塞积时产生应力更大 。材料的晶体结构不同位错塞积情况也有别 。 面心立方结构材料中塞积机制有其特点 。位错塞积在析出相易引发局部应力集中 。这种应力集中可能导致材料微裂纹萌生 。温度变化会影响位错在析出...
位错塞积 /dislocation pile-up/ 最后更新2022-01-20 浏览136次 位错在运动过程中遇到不能越过的障碍物时,被迫停止运动而堆聚在障碍物之前的现象。 英文名称 dislocation pile-up 所属学科 冶金工程
而位错塞积群是指好多位错集中在一起，力的叠加使得总力加大，叠加在一起就会在位错塞积群附近产生很大...
位错塞积 根据化学势定义:i Gxmi T,P,xj (ji)二元系某一相（成份为xB）的摩尔吉布斯自由能Gm为:GmxAAxBB 上式微分，得dGmxAdAAdxAxBdBBdxB 根据吉布斯-杜亥姆方程，恒温恒压下有 xAdAxBdA0 则dGmAdxABdxB 上式两端乘以xA/dxB，并利用dxA=dxB，得xAddGxBmAxABxA 把上式代入Gm的式子，得 BGmxAddxGBGm(1...
不一样。1、定义不同：位错缠结是指两个或多个位错在晶体内部相遇并相互缠结在一起的现象，而位错塞积则是指当位错遇到障碍物时，其向前运动的力不能克服障碍物的力，位错就会停在障碍物面前，由同一个位错源放出的其他位错也会被阻在障碍物前。2、形成原因不同：位错缠结主要是由于两个或多个位错...
1.10位错的增殖与塞积 Multiplication/pile-upofdislocations 从直观上看，位错在塑性变形中要不断地逸出晶体表面，使晶体中位错密度不断减少，然而事实恰恰相反。经剧烈变形后的金属晶体，其位错密度可增加4~5个数量级，这种现象充分说明晶体在变形过程中位错在不断地增殖。所以，位错的增殖机制是位错理论中一个很重要...