专利摘要显示，本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区；形成在所述沟道区内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小；形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区，且所述...
专利摘要显示,本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底;位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层;在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区;形成在所述沟道区内的变掺杂源极,所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小;形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区,且所述沟道...
专利摘要显示,本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底;位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层;在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区;形成在所述沟道区内的变掺杂源极,所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小;形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区,且所述沟道...