3月31日消息,据韩国Infomax调查,分析师预测三星电子在2025年第一季度的营业利润仍不乐观,面临连续三个季度下滑的局面。 分析师预测,三星电子2025年第一季度的营业利润预计为4.7万亿韩元(约合32亿美元),同比减少27.8%,环比减少26.6%。 报道称,这一下滑趋势主要归因于中国DRAM厂的产能全开,导致传统DRAM价格下跌,三星作...
小摩认为，推理需求在HBM中的上升空间有限，边缘AI/传统DRAM的上升潜力更大。该行预计，具有性价比的推理模型(如DeepSeek)的普及，可能会加速边缘AI的迁移，与HBM相比，传统DRAM的上升概率更高，因为在中央计算内存(CPU)需求中，推理产品组合占比仅为10%。从内容和位需求的角度来看，HBM对推理ASIC芯片的附加率仍然...
中国DRAM厂产能全开，传统DRAM价格直降。分析师普遍预测，韩国科技巨头三星电子（Samsung Electronics）受限于DRAM红海杀戮战，难以扭转获利衰退颓势，第一季获利表现仍不乐观，面临连三季下跌的境地。韩联社报道，韩联社旗下财经新闻机构Infomax调查显示，当地股市分析师预测，全球最大内存制造商三星第一季营业利润估为4.7...
IT之家 4 月 28 日消息，韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称，三星电子内部已制定了在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术的路线图，相关产品有望最早于 2~3 年内面世。据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑过 1e nm 和 VCT DRAM 两种选择，最终选择...
有消息人士透露，在最近与高盛的投资者关系会议上，SK海力士表示计划到今年年底前，将DDR4的产量占比降至DRAM总产量的20%，低于6月的40%和9月30%。此前三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁Kim Jae-joon也确认了，将执行减少传统DRAM和NAND闪存芯片产量的计划。同时三星和SK海力士都强调了，会将焦点转移到HBM和...
摘要:ISSI的DDR3 DRAM可选密度从1gb到16gb,并具有长期支持。 ISSI的DDR3在各种需要高速外部存储器的应用中实现。DDR3/3L接口得到了大多数领先的片上系统(SoC)制造商的支持,如Ambarella、Analog Devices、Intel、Microsemi、NXP、TI、Renesas、意法半导体和AMD。ISSI提供广泛的DDR3和DDR3L DRAM,从1gb到16gb。
三星和SK海力士将减少DDR4等传统DRAM产量, 最近存储器巨头三星和SK海力士都发布了季度财报,在财报电话会议上,均强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上,同时可能会减少DRAM和NAND闪存的产量,特别是传统类型的产品。 据TrendForce报道,长鑫存储(CXMT)等中国竞争对手正在崛起,而且不断提高DDR4和LPDDR4X等传统存储...
小摩认为,推理需求在HBM中的上升空间有限,边缘AI/传统DRAM的上升潜力更大。该行预计,具有性价比的推理模型(如DeepSeek)的普及,可能会加速边缘AI的迁移,与HBM相比,传统DRAM的上升概率更高,因为在中央计算内存(CPU)需求中,推理产品组合占比仅为10%。从内容和位需求的角度来看,HBM对推理ASIC芯片的附加率仍然较低。
AI趋势为存储用量增长最为显著的驱动力,且AI服务器对HBM需求急增,辅以龙头晶圆厂聚焦生产HBM及DDR5产品,相对将使2025年传统DRAM产能遭排挤近40 万片/月,推升DDR3、DDR4合约价续涨,而DRAM市占排名居三大原厂之后的南亚科、华邦电,则有望提升产品定价能力,成为最大受惠者。
IT之家 4 月 28 日消息,韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称,三星电子内部已制定了在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术的路线图,相关产品有望最早于 2~3 年内面世。 据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑过 1e nm 和 VCT DRAM 两种选择,最终选择了...