在电子设备、光电技术、太阳能电池以及量子计算等领域选用合适的半导体材料是整个技术实现的关键所在FOM的大小直接关系到设备的效率、稳定性以及寿命。要想理解半导体材料地优值系数，得从材料的基本属性讲起。每一种半导体材料都有自己独特的电学特性，比如电子迁移率、带隙宽度、热导率等。这些特性决定了它在不同场景...
惠海半导体自成立以来,致力于MOSFET(场效应管),开发设计、封装测试、销售服务、技术支持为一体的广东省“守合同重信用”企业。 ■惠海半导体致力服务于终端客户,整体生产体系严格执行质量标准,积极批量开发,免费提供样品测试,还可提供定制服务,调整MOSFET参数,为客户量身定制,惠海半导体是专业、全面的为客户解决方案的MO...
MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。 4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。 器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。 制造商: Microchip 产品种...
SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC,达到同类产品最佳水平。 器件是输入电压12 V电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能,以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。 SiRA99DP减少...
栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC,是业界此类器件当中最低的。 SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。 新的SiH...
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然而在很多情况下,减小Qgd和减小Rdson是相互矛盾的,所以,我们就要借助优值FOM=Rdson*Qgd(与器件的面积无关)作为衡量器件性能的指标。而对于传统的表面栅结构由于受到本身结构的限制,导致它的通态电阻偏大,导通功耗太高,以至于无法很好的满足应用端对功率器件的要求,于是将目标集中在沟槽栅MOSFET上。使用挖槽工艺的沟槽...
3) FOM (figure of merit) 优值;灵敏值;品质因数 4) Q meter Q表,品质因数计,优值计 5) figure of merit 优良指数 6) factor of merit 品质系数,优良因数,灵敏度(仪表的) 补充资料:正常人白细胞转移因子 , 白细胞转移因子,转移因子 药物名称:转移因子 ...