半导体材料优值系数fom 半导体材料优值系数fom 半导体材料优值系数（FOM）是衡量半导体性能地一项重要指标。你可以把它想象成半导体材料的体检报告，它告诉我们一个材料是否能够在实际应用中有效地进行电荷的传导，是否具有优异的电学、热学以及机械性能。我们当前讨论的优值系数是筛选出那些能在各种环境条件下表现卓越的半导体材料。在电子设备、光电技术、
MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。 4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。 器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。 制造商: Microchip 产品种...
SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC,达到同类产品最佳水平。 器件是输入电压12 V电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能,以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。 SiRA99DP减少...
栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC,是业界此类器件当中最低的。 SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。 新的...
栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC,是业界此类器件当中最低的。 SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。 新的SiH...
4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW,而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:RS-485接口IC 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 系列: 功能:Transceiver 数据速率:10 Mb/s 激励器数量:...