这种影响贯穿电动汽车的整个生命周期,所以在宽禁带功率器件装车后,随着使用时间的推移,阈值电压漂移就会严重影响到整个电动汽车的开关转化效率和续航,这个结果不是在实验室内短期内通过静态测试能够发现的,而需要通过一些长期动态测试才能发现。
宽禁带器件如SiC碳化硅和GaN因其优异性能受到关注。SiC碳化硅器件凭借高击穿场强、高导热系数和耐高温特性,在高压、高频应用中展现出明显优势。然而,目前宽禁带器件的成本相对较高,限制了其大规模应用。随着生产规模扩大和成本降低,基于SiC、GaN的宽禁带器件有望成为半导体材料领域的新主角,引领功率器件的未来发展。宽禁带...
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景...
1．3．3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源 参考文献 第2章 宽禁带半导体材料 2．1 氮化镓和碳化硅晶体材料 2．1．1 GaN晶体性质和制备 2．1．2 SiC晶体性质和制备 2．2 碳化硅材料的同质外延生长技术 2．2．1 SiC同质外延生长方法 2．2．2 SiC CVD同质外延关键技术 2．2．3 SiC...
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景...
本课题针对宽禁带半导体SiC/GaN大功率电力电子器件可靠性机理与技术的关键问题，进行三项理论与实验的创新研究:①提出GaN异质结电荷控制模型，揭示空间电荷与2DEG浓度的物理本质及其与能带的普适规律，为研究F离子增强型器件栅退化与失效机理提供理论基础；②提出基于界面陷阱效应的SiC DMOS器件栅介质隧穿电流模型，探索不...