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最近,他研发出一款可直接检测溶液中单个电荷的固态电子器件:亚 10nm 级的双电层栅控硅纳米线场效应晶体管(SiNWET,silicon nanowire field-effect transistor),具体来说它可直接检测到固液界面上单个氢离子的行为。 图| 器件 (来源: Science Advances ) 亚10nm 级 双电层栅控 SiNWFET 的三维示意图如上图所示,它...
最近,他研发出一款可直接检测溶液中单个电荷的固态电子器件:亚 10nm 级的双电层栅控硅纳米线场效应晶体管(SiNWET,silicon nanowire field-effect transistor),具体来说它可直接检测到固液界面上单个氢离子的行为。 图| 器件(来源:Science Advances) 亚10nm 级双电层栅控 SiNWFET 的三维示意图如上图所示,它是用...
最近,他研发出一款可直接检测溶液中单个电荷的固态电子器件:亚 10nm 级的双电层栅控硅纳米线场效应晶体管(SiNWET,silicon nanowire field-effect transistor),具体来说它可直接检测到固液界面上单个氢离子的行为。 图| 器件(来源:Science Advances) 亚10nm 级双电层栅控 SiNWFET 的三维示意图如上图所示,它是用...
这种垂直的有机无机混合晶体管不仅在超短沟道技术上实现了重要突破,并且在低电压下展现了一个高的电流密度。更重要的是,由于海藻酸钠中存在的可移动离子而形成的双电层效应,使得这种类脑神经晶体管可以成功模拟伤害感受器的一系列重要特征,比如:疼痛阈值、对先前损伤的记忆、疼痛敏化/脱敏等。这种通过栅压来调控离子...
1.一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管,其特征在于:由顶栅(1)、底栅(2)、上层二氧化硅(3)、黑亚磷(4)、源极(5)、漏极(6)、下层二氧化硅(7)组成;所述的顶栅(1)位于上层二氧化硅(3)上端,底栅位于下层二氧化硅(7)下端,黑亚磷(4)同质结位于上层二氧化硅(3)与下层二氧化硅(7)之间,源极(5)...
本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管,由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成;所述的顶栅位于上层二氧化硅上端,底栅位于下层二氧化硅下端,黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间,源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧;垂直黑亚磷隧...
本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管,包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜,二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触;二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接生长的方式经由图形化制得;第一电极采用具有致密自氧化特性的金属材料通过溅射或蒸发方式进行...