亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：单位是[mV/dec]。S在数值上就等于为使漏极电流I变化一个数量级时所需要的栅极电压增量ΔV。算法 其中 为热电压， 被称为体因子，由η表示。ψₛ是表面势，即V与栅氧化层电压之...
亚阈值摆幅 亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：S = dVgs / d(log10 Id)，单位是[mV/dec]。S在数值上就等于为使漏极电流Id变化一个数量级时所需要的栅极电压增量ΔVgs，注意S是从Vg-Id曲线上的最大斜率处提取出来...
1)我们希望亚阈值摆幅越小越好;器件在亚域区,即栅压小于阈值电压时,器件完全关断,源漏电流为零。一到阈值电压,晶体管迅速打开;所以最好电流相对于电压变化是非常灵敏的,也就是很小的栅极电压变化就可以引起电流一个数量级的变化。因此S小,反映了更好的栅控能力,小的亚阈值漏电流。 亚阈值摆幅影响因素: 1)温...
亚阈值摆幅(SS)是OPT的关键参数,定义为当晶体管在亚阈值区域工作时,将漏极电流改变一个数量级所需的栅极电压。SS值越小,设备越灵敏、越节能、速度越快,其光电性能越好。然而,传统的OPT性能从根本上受到电荷载流子玻尔兹曼分布的限制,这限制了平均亚阈值摆幅(SSave)在室温下至少为 60 mV/decade。 近日,天津大学...
1)温度,温度升高,亚阈值摆幅增大 2)栅氧化层电容增大,亚阈值摆幅减小;使用high k介质,减小栅氧化层厚度,都可以使亚阈值摆幅减小。 3)Si耗尽层电容减小,亚阈值摆幅减小;使耗尽层宽度增大的因素,例如衬底浓度Na减小,衬底偏置电压增大,会使亚阈值摆幅减小。
亚阈值摆幅(SS)是OPT的关键参数,定义为当晶体管在亚阈值区域工作时,将漏极电流改变一个数量级所需的栅极电压。SS值越小,设备越灵敏、越节能、速度越快,其光电性能越好。然而,传统的OPT性能从根本上受到电荷载流子玻尔兹曼分布的限制,这限制了平均亚阈值摆幅(SSave)在室温下至少为 60 mV/decade。
晶体管的掺杂浓度也是影响亚阈值摆幅的关键因素。掺杂浓度的变化会直接影响晶体管的导电性能,从而影响亚阈值摆幅。过高的掺杂浓度可能导致晶体管漏电流过大,降低其工作稳定性;而过低的掺杂浓度则可能使晶体管难以开启,影响正常工作。因此,在设计和制造...
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)器件一直在电子领域中扮演着重要角色,其被广泛应用于数字和模拟电路中。而亚阈值摆幅(STS)则是MOSFET器件中的一个重要性能指标,对其理解可以帮助工程师设计更高效的电路。 首先,我们来解释一下什么是亚阈值摆幅。在MOSFET器件中,阈值电压是指当输入电压大于这个值时,MOSFET开始...
亚阈值摆幅是指在MOSFET工作时,输入电压小于其阈值电压的情况下,输出电压的摆幅。在亚阈值区,MOSFET处于弱反型工作状态,输入电压的变化会导致输出电流的变化,从而影响输出电压的变化。 亚阈值摆幅的大小与MOSFET的参数有关,例如沟道长度、沟道宽度、栅极电压等。当输入电压较小时,MOSFET的沟道区域处于部分反型状态,电...
亚阈值摆幅公式 其中φs为表面电势,ID为漏电流,第一项 m 表示 VGS对表面电势 φs的调控能力,m越小,栅对沟道的调控能力越强,反之,越弱,m 取决于栅结构及介质材料。第二项n 表示电流 ID提升一个数量级所需要的表面电势变化量,其大小取决于电流导电机制 压阈值摆幅 SS 定义为电流变化一个数量级所需要的 VG...