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二氧化硅180+c加热下的产物
二氧化硅180+c加热下的产物
2025-01-26 04:08:28
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二氧化硅180 c加热下的产物
加热条件下 硅能与一些非金属、氧化物等反应
30%二氧化硅
在1000°c下对硅片进行两次干氧氧化
2. 热生长100nm的氧化层消耗多少硅
用硅油作介质时可加热到300°c
解释什么是热氧化过程中的吃硅现象 生成1体积的sio2 要“吃”掉多少si
二氧化硅导热系数为多少w/mk
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