二极管的I-V 特性是与温度密切相关的。随着温度的增加 图5-2 带有某些参数定义的快速pin 二极管的I-V 特性 1) 漏电流IR 增加,在常用的最大允许工作温度150℃下,IR可以高于室温下的反向漏电流几个数量级。漏电流的扩散分量和产生分量也都增加;参见式(3-59) 和图3-13。 图3-13 在Si 中, 对应两种复合能...
第六章pn结二极管：I-V特性 第六章pn结 6.1pn结及其能带图6.2pn结电流电压特性6.3与理想情况的偏差*（了解）6.1pn结及其能带图 据统计：半导体器件主要有67种，另外 还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成：•pn结•金属－半导体接触•MOS结构•异质结•超晶格 6.1pn结及其能带图 1p-...
二极管的V–I特性曲线1.正向特性正向特性表现为图中的①段。此时正向电压较小,正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压(该电压硅管约为0.5V,锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时,内电场削弱,电流因而迅速增长,呈现出很小的正向电阻。2.反向特性反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载...
理想发光二极管的I-V特性可由shockley方程式表示如下: 式中,凡为反向饱和电流,与电子与空穴的扩散系数、扩散长LM2733YMFX度和热平衡少子浓度有关;/为外加偏压,”0为正向偏压,疼0为反向偏置;炀为玻尔兹曼常数;Γ为绝对温度。图⒋11为理想发光二极管的I-V特性示意图。由图可见,正向偏压下,二极管的电流随电压增加...
导出理想肖特基二极管的I-V特性. 相关知识点: 试题来源: 解析 对于非简并化情况,导带电子浓度为 n=nie(EF-Ei)/(KT) 在半导体内部,设本征费米能级为Ei0,则热平衡时半导体内部的电子浓度为 n0=nie(EF-Ei0)/(KT) 在表面附近的空间电荷区内电子的附加电势能为-qψ(x),本征费米能级为 Ei(x)=Ei0-ψ(...
第六章pn结二极管：I-V特性 6.1理想二极管方程 将二极管电流和器件内部的工作机理，器件参数之间 建立定性和定量的关系。6.1.1定性推导：分析过程，处理方法6.1.2定量推导：建立理想模型-写少子扩散方程，边界条件-求解少子 分布函数-求扩散电流-结果分析。分析实际与理想公 式的偏差6.2与理想情况的偏差 分析存在...
【图文】第六章 pn结二极管:I-V特性,图文,【图文】第六章,pn结二极管:I-V特性,第六,pn,二极管,特性
二极管I-V特性分析通常需要高灵敏电流表、电压表、电压源和电流源。对所有分离仪器进行编程、同步和连接,既麻烦又耗时, 而且需要大量机架或测试台空间。为了简化测试,缩小机架空间,单一设备,如吉时利2450型触摸屏数字源表,成为二极管特性分析的理想选择,因为它能够提供电流和电压的源和测量。2450型仪 器可以对不同数量...
集成电路的组成包含了大量的三端口、双端口器件,如我们常见的二极管、晶体管、场效应管等,这些半导体分立器件是组成集成电路的基础。我们常常在测试实验中用I-V特性曲线来表示微电子器件、工艺及材料特性,I-V曲线的值也决定了这些元器件的基本参数。通常用吉时利数字源表进行这些半导体分立器件测试的过程中,由于源表本...