工作原理:对CMOS集成电路连接到压点的输入端常采用双二极管保护电路。二极管D1是和PMOS源、漏区同时形成,是p+n-结构,二极管D2是和NMOS源、漏区同时形成的,是n+p-结构。当压点相对地出现负脉冲应力,则二极管D2导通,导通的二极管和电阻形成了ESD电流的泄放通路。当压点相对地出现正脉冲应力,使二极管D2击穿,只要...
二极管ESD保护电路的工作原理是通过将静电放电转移到地线或电源线上,从而阻止静电放电影响设备内部电路。常见的ESD保护电路包括并联二极管、串联二极管和多种组合应用的二极管电路。 1.并联二极管ESD保护电路 并联二极管ESD保护电路是指将二极管连接在设备的输入端和地线之间。当静电放电时,二极管将电流导向地线,从而将静电放...
二极管ESD保护原理是利用二极管在正向偏置下具有较低的电阻,在逆向偏置下具有较高的电阻的特性。当出现静电放电(ESD)时,二极管会迅速转变为逆向偏置状态,从而将静电放电的能量引导到地或其他低阻抗路径上,从而保护被保护电路免受静电放电的损害。 二极管ESD保护电路通常采用反向并联二极管的结构,常见结构有: 1.反向并联...
二极管ESD(静电放电)保护原理是利用二极管的特性,将ESD电流通过二极管导通通路的方式,将静电电荷迅速引入地或电源线,从而保护被保护元件免受ESD的损害。 二极管ESD保护电路一般包括两个二极管以及一些辅助元件组成。其中一个二极管作为负载二极管,负责接收ESD电流,另一个二极管则作为反向二极管,负责将ESD电流引入地或电源线。
当高于反向击穿电压 （VBR）的浪涌电压进入信号线时，ESD保护二极管将大量电流分流到GND，从而抑制浪涌电压低于反向击穿电压（VBR）。正常工作期间ESD保护二极管不导电。此时，在p-n结的界面上出现一个耗尽区。耗尽区在电中起电容器的作用。因此，这些二极管在稳态下充当电容器。由于它们的电容和信号线的电阻组成低通...
ESD二极管在电路保护中发挥着关键作用,主要通过其独特的电气特性来对抗静电放电(ESD)带来的威胁。以下是ESD二极管进行电路保护的主要方式和原理: 基本结构与工作原理: 基本结构:ESD二极管主要由P型半导体(P区)和N型半导体(N区)交替组成,二者之间形成一个称为PN结的界面。
1、ESD静电二极管使用时是并联在被保护电路上,正常情况下对线路的工作不应产生任何的影响; 2、击穿电压VBR 的选择:ESD 管的击穿电压应大于线路最高工作电压Um或者信号电平的最大电压值; 3、脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压VC 的选择:ESD 管使用时,要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择IPP 合适的型号。要...
TVS二极管(ESD保护二极管)是保护电路免受静电放电和瞬态电压浪涌影响的器件。它通过反向击穿时导通来抑制过电压。选择时需考虑反向击穿电压、总电容、动态电阻等电气特性,并避免敏感信号线与可能引入ESD的走线并行。绝对最大额定值包括静电放电电压、峰值脉冲功率等,确保器件性能和寿命。
4、还有一种复杂的ESD保护电路: 可控硅晶闸管 (SCR: Silicon Controlled Rectifier) 它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up,通过ON/OFF实现对电路的保护,大家可以回顾一下,只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了,不过只能适用于Layout,不能适用于Process,否则...
4、还有一种复杂的ESD保护电路: 可控硅晶闸管(SCR: Silicon Controlled Rectifier), 它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up,通过ON/OFF实现对电路的保护,大家可以回顾一下,只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了,不过只能适用于Layout,不能适用于Process,否则...