软击穿指的是二极管在反向电压低于击穿电压的情况下,电流仍能通过二极管的现象。 二、二极管软击穿的成因 二极管软击穿的成因与其本身的结构有关。二极管的PN结在反向电压下,会形成一个相对较宽的耗尽区。而当反向电压增加到一定程度时,耗尽区的电场会足够强,使得本来无法产生电离的禁带电子,也能被电场加速撞击,...
用万用表测量软击穿现象可以通过测量二极管反向电流来实现。具体方法如下: 1.将万用表设置为反向电流档位; 2.将二极管连接到电路中,并施加反向电压; 3.用万用表测量二极管的反向电流,如果反向电流超过二极管的额定值,则说明发生了软击穿现象。 四、软击穿可能带来的影响 软击穿会导致二极管...
带你了解功率MOSFET ---击穿电压 | MOSFET 的击穿电压BVDSS 是指反向偏压的体二极管(body-drift diode)被击穿,且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动时的电压,此时栅极和源极之间短路。 图三显示了功率MOSFET的电流和电压特征。一般漏电流在250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上没有偏压时,在...