如下图所示的两条曲线,是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线,曲线可分三部分来说明。 正向特性:当外加正向电压较小时,正向电流很小,二极管呈现出较大的电阻(图中OA段和OA’段);正向电压超过某一数值(UD称为其实电压或死区电压,硅管为0.6到0.8伏,锗管委0.2伏),电流随着电压增加得很快(图中的AB段和A’B...
如下图所示的两条曲线,是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线,曲线可分三部分来说明。 正向特性:当外加正向电压较小时,正向电流很小,二极管呈现出较大的电阻(图中OA段和OA’段);正向电压超过某一数值(UD称为其实电压或死区电压,硅管为0.6到0.8伏,锗管委0.2伏),电流随着电压增加得很快(图中的AB段和A’B...
由二极管的正向与反向特性可直观的看出:①二极管是非线性器件;②二极管具有单向导电性。 反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值VBR时,反向电流急剧增大,这种现象叫做二极管的反向击穿。 温度影响: 温度升高时,正向压降减小,正向伏安特性左移。温度每升高1℃,二极管的正向压降减小2～2.5mV。 温度升高时,反向电流大约增...
如下图所示的两条曲线,是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线,曲线可分三部分来说明。 正向特性:当外加正向电压较小时,正向电流很小,二极管呈现出较大的电阻(图中OA段和OA’段);正向电压超过某一数值(UD称为其实电压或死区电压,硅管为0.6到0.8伏,锗管委0.2伏),电流随着电压增加得很快(图中的AB段和A’B...
和绘制三极管的输出特性曲线一样,可以通过由运放构成的反馈控制电路来控制流过二极管的正向电流,但测试普通二极管的V-I曲线时,一般要求测试电流达到100mA以上,无法由运放直接产生,需借用晶体管放大输出电流。我设计了图1所示的测试电路。 图1 二极管V-I特性测试电路...
二极管伏安特性曲线图 如下图所示为查验二极管伏安特性的原理电路,改动可变电阻的巨细,就能够测出纷歧样数值的端电压下流过二极管的电流,然后得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。其间曲线右上方是正向特性,是由下图a所示电路测得,左下方是方向特性,是由下图b所示电路测得。
二极管的正向伏安特性曲线如下图,室温下测得二极管中的电流为 20mA。试确定二极管的直流电阻RD和动态电阻 rd的大小。解:由图可见, ID=20mA时的UD=,那么直流电阻 RD为UDRDΩID20mA过I=20mA处,作一条切线,求切线斜率,可求得动态电阻r为DdΔUDrdΩiD30mA-10mA四、在下面图示电路中,设I=12sin〔V〕,试分别画...
二极管的伏安特性表达式可以表示为式1-2-1 其中iD为流过二极管两端的电流,uD为二极管两端的加压,UT在常温下取26mv。IS为反向饱和电流。 1、正向特性 特性曲线1的右半部分称为正向特性,由图可见,当加二极管上的正向电压较小时,正向电流小,几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时,正向电流才明显增大。
二极管主要参数 晶体二极管主要是由一个PN结构成,因此它应该与PN结具有相同的特性,即具有单向导电性。下面介绍加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系。即二极管的伏安特性及二极管主要参数。 二极管伏安特性曲线 如下图所示为测试二极管伏安特性的原理电路,改变...
稳压二极管的伏安特性曲线与普通二极管相似,如下图所示,区别在于稳压二极管的反向特性曲线比较陡。 稳压二极管工作于反向电压击穿区,从反向电压特性曲线上可以看出,反向电压在一定范围内变化时,反向电流很小。 当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然剧增(图),稳压二极管反向击穿。此后,电流虽然在很大的范围内变化,但稳...