图7为输入电流傅立叶仿真设置,仿真结果如下,根据仿真结果计算THD、PF等参数。 FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(V_Vi) DCCOMPONENT = 2.371172E-03 因为二极管模型反向击穿电压BV=100V,所以当输入电压高于100V时仿真将会出现不收敛现象,如图8和图9所示,仿真不能顺利进行。 图8 VAMPL=150高于BV=100 图...
二极管模型和模型参数二极管模型(1) 基本关系式若外加电压为:VA流过二极管的电流为:ID=IS[exp(qVA/kt)-1]所以基本直流特性中只有饱和电流IS(Saturation current)1个参数。。
常用二极管模型及参数.doc,1.塑封整流二极管 序号 型号 IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.
常用二极管模型及参数.doc,1.塑封整流二极管 序号 型号 IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.
二极管模型和模型参数--完成
二极管的V-I特性 iDIS(e vD/VT 1)正向导通压降:硅管约0.7V,锗管0.2V反向饱和电流：硅管为纳安（10－9）级锗管为微安（10－6）级 硅二极管2CP10的V-I特性 锗二极管2AP15的V-I特性 3 二极管D的模型参数 4 练习1：二极管特性分析 eg1：电路如图所示，二极管参数：Is=2E-12,Rs=2Ω，...
由图1.18可知,二极管D1未导通时阳极电位为-12V,阴极电位为-16V,则阳、阴两级的电位差: 故在理想模型中和恒压降模型中,二极管D1均为导通。 用理想模型计算: 由于二极管D1导通,其管压降为零,所以: 用恒压降模型计算: 由于二极管D导通,UF=0.7V,所以: (6)二极管的主要参数 为了正确选用及判断二极管的好坏,必...
二极管模型参数幅电路dmodeditmodel电压源 sea2002@cuc.eduPspice(二极管-DIODE)Pspice(二极管-DIODE)2半导体二极管 半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。3二极管的V-I特性)1e(/SDD TVIiv锗二极管2AP15的V-I特性硅二极管2CP10的V-I特性正向导通压降:硅管约0.7V,锗管0.2V反向饱和电流...
小信号模型 - 电子设计基础关键元器件篇(二):二极管 3.2 小信号模型 二极管小信号模型如上图所示。如二极管在静态工作点Q(vD=VD,iD=ID)附近工作,则可把V-I特性看成为一条直线,其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。 rd=dvD/diD rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。
二极管、mos管、三极管模型的重要spice参数,二极管,mos,三极管,模型,重要,spice,参数二极管mos管三极管模型 的重要spice参数 1.二极管 2.mos晶体管: 3.双极型晶体管: