Vod=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。（长沟道器件）但是考虑到短沟道效应的模型里，沟道里的多子因为速度饱和效应（Velocity saturation），Vds不需要到达Vod，只要到达Vdsat，Ids就会饱和，不会...