【解析】多子,容易混淆,因为在一个半导体器件里 多子也不确定是空穴还是电子.举个例子:在pn结 中,p区杂质电离产生空穴,p为多子(p载流子浓度1 0^(18)cm^(-3) ;n区杂质电离产生电子,n为多子(1018 cm-3 ) ;常温下本征载流子浓度为 10^(10)cm^(-3) ,要控 制其浓度值小于1017cm-3(假设),保证内电场...
是少子。少数载流子在温度变化时，它的相对变化量非常大，这将更影响温度稳定性。例如PN结中反向饱和电流...
多子,容易混淆,因为在一个半导体器件里多子也不确定是空穴还是电子.举个例子:在pn结中,p区杂质电离产生空穴,p为多子(p载流子浓度1018cm-3);n区杂质电离产生电子,n为多子(1018cm-3);常温下本征载流子浓度为1010cm-3,要控制其浓度值小于1017cm-3(假设),保证内电场的存在即pn结的有效性.若要计算温度极限,利...