公开号：CN114362491A 公开日：20220415 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥...
该表格串扰识别装置包括:获取模块,用于获取液晶显示面板中当前行的各正极性子像素的灰阶值和各负极性子像素的灰阶值;计算模块,用于基于当前行的各正极性子像素的灰阶值分别与上一行的对应正极性子像素的灰阶值之间的差值计算第一累加值;还用于基于当前行的各负极性子像素的灰阶值分别与上一行的对应负极性子像素的灰阶...