3月14日,西安邮电大学宣布,该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓(GaO)外延片;此前在2月底,中国电子科技集团有限公司(中国电科)宣布,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。作为备受关注的第四代半导体材料之一,氧化镓目前在部分产品上已有使用,但距离大规模...