下列关于闪存的叙述中,错误的是()A.信息可直接读写,并且读写速度一样快B.存储单元由MOS管组成,是一种半导体存储器C.掉电后不丢失,是一种非易失性存储器D.采用随机访
下列关于闪存的叙述中,错误的是()A.信息可读可写、并且读、写速度一样快B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式,可代替计算机外部存储器 相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
下列关于闪存(FlashMemory)的叙述中,错误的是( )。 A. 信息可读可写,并且读、写速度一样快 B. 存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器 C. 掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器 D. 采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器 相关知识点:
下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是( )。 A.信息可读可写,并且读、写速度一样快 B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器 C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器 D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器相关知识点:
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