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CE Amplifier (Common Emitter Amplifier), 即共射极放大器,是最基本的 BJT 放大结构,在三种基本放大器中增益最大(增益为负)。因此,在需要较大增益的场合,常常使用 CE 放大器。其输出阻抗 Rout、跨导 Gm 和增益 ACE 的推导过程如下: CC (Common Collector, 共集) CC Amplifier (Common Collector Amplifier),...
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此时三极管工作在饱和状态。 由上面的分析可以知道,三极管工作在饱和状态,和基极电流关系不大,但是和集电结的偏置状态有关系。在图9所示的工作电路中,假设Vce=5V,因为Vbe≈0.7V,此时集电结处于反偏状态,三极管应该工作在线性放大区。理论上说,如果基极电流持续增加,则三极管集电极电流也会一直线...
BJT三极管,表面上是一个电流控制器件,实质上是一个电压控制器件。 表面上,存在关系式Ie=β*Ib ,计算简便;而且BJT的电路简化模型,也是依据这个公式。正是如此,才导致流控的观点,越发流行,几乎成了共识。但是,用来理解三极管的原理,就是一个大坑;木旦文本人,蹲此坑多年,经验丰富。此关系式与简化模型,只是为了硬件工...
三极管分类:BJT和FET 2024年04月29日 三极管可以分为BJT和FET两类。 一、BJT BJT全称双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor),也称为晶体三极管(Transistor)。 1.工作原理: BJT是一种由两个PN结组成的三层P型、N型、P型或N型、P型、N型的半导体器件。主要由集电极、发射极和基极三个区域组成。通过...
将图6-1中的SW开关更换为三极管BJT,如图6-2,那么就是一个典型的BJT驱动高边PMOS的电路,其中C1,C2,Zener非必要。C1用做加速BJT打开,C2用做BJT快速关断,Zener用做VGS钳位,避免瞬时电压超过MOS的VGSmax耐压从而损坏MOS。 图6-2:BJT驱动PMOS电路 R1和R2在一条路径上可以调节分压,也即调整G极电位,Q2关断时,VG...
- BJT由两种不同掺杂物制成的半导体区域形成PN结，这两个区域分别是发射区和基区。2. **三极管原理：- 三极管，也称为晶体管，是一种能够放大电信号的电子器件。- 在NPN型三极管中，发射结正偏，导致发射区的电子向基区扩散，同时在基区发生漂移，形成集电极电流。二、构成上的相同点：1. **BJT...
MMBT5401描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买...