第九代QLC V-NAND结合了双堆栈技术,通过创新的通道孔蚀刻工艺实现了更高的层数结构,大幅提升了芯片的存储密度,使三星在技术性能和市场竞争中保持领先。 三星电子的发展是步步为营、层层突破的过程。从最早的1Gb到如今的QLC V-NAND,三星不仅实现了技术的升级,更推动了全球存储市场从2D NAND向3D V-NAND的过渡。 早...
纵观三星在本届ChinaJoy展出的全线存储产品,不难发现其在存储技术领域的绝对领先地位。从高速移动SSD到大容量内置硬盘,再到针对各种专业场景优化的存储卡,三星存储以其全面的产品线和强大的技术实力。 以上展示的产品与现场都只是现实的九牛一毛,在ChinaJoy的现场,三星存储将会随时刷新更多有趣精彩的玩法,等你来探索...
三星的继续「加仓」,足以进一步挤压存储市场的生存空间,扩大合并或收购的可能。而依靠多元化的业务,三星是唯一没有元气大伤的存储芯片厂商。 此外,去年底苹果暂停采用长江存储 128 层 NAND 闪存计划后,订单全部转向三星在西安的一个三期 NAND 闪存项目——据《日经亚洲》报道称,占全部 iPhone 所需 NAND 闪存的 40%...
2023年是三星的“水逆之年”:受旗下存储芯片业务部近15万亿韩元历史巨亏的拖累,集团全年收入减少14%,营业利润减少超八成,自2008年全球金融危机后15年来首次跌破10万亿韩元。 而在去年交出历史最差财报后,这家公司今年决心彻底走出低谷。 在3月20日举行的年度股东大会上,三星称,预计2024年旗下存储半导体部门销售...
三星电子计划在2026年推出400层垂直NAND芯片,以引领人工智能热潮中快速增长的存储设备市场。 这是三星的最新发展路线图,以最大程度提升产能和性能。 目前,三星量产286层高容量V9 NAND芯片。 在现有的NAND芯片中,存储单元位于外围设备的顶部,外围设备承载着芯片的内部。
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存 三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。 三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。此外,该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
Foundry 关于三星晶圆代工 工艺技术 先进封装 SAFE™ Foundry Events 制造 特定应用服务 技术档案 US Fab 消费级存储 消费级存储产品 概述 SSD 固态硬盘 PSSD 移动固态硬盘 存储卡 USB 闪存盘 游戏固态硬盘 消费级存储支持 概述 工具和软件 文档 常见问题解答 保修 魔术师软件 SSD升级 新闻& ...
1. 三星的这个业绩预告 beat来源于存储业务和手机,UBS预计NAND闪存业务在2024年第一季度恢复盈利,营业利润率为4%,DRAM业务也实现了显著的营业利润率改善,为24%,且预计2024年第二季度DRAM ASP环比增长11%,NAND环比增长15%。与UBS一样,高盛也强调HBM3E 12Hi,预计公司会在2024Q1正式财报上进一步阐释HBM3E的资格认证...
据TrendForce报道,三星的主要业务产品线最近的表现低于预期,存储器和智能手机部门在开发和生产上都遇到了一些问题。为了扭转不利局面,三星正在寻求合作,考虑将部分订单外包,合作的对象包括了台积电和联发科。 其中很重要一个原因,就是三星在生产上遇到了良品率问题。由于 Exynos 2500 的良品率一直未能提升,明年的 Galaxy...
3月10日下午,三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。 据了解,三星高端存储芯片二期第一阶段项目总投资70亿美元,目前已具备量产能力,预计今年8月份可实现满产。三星高端存储芯片二期第二阶段项目总投资80亿美元,已于2019年年底启动建设,预计2021年上半年建成投产。