南京大学电子学院在基于忆电容的多感知储备池计算方面取得进展 近日,南京大学万青、万昌锦团队联合李昀教授研究团队,构建了基于忆电容突触的多感知物理储备池计算系统。该器件不依赖于电流机制进行读写,而是开创性地利用了电容性耦合的极化翻转和电荷捕获机制,为RC提供非线性和状态丰富度。该器件在功耗(~113.4 飞焦/
为了适应后摩尔时代的发展要求,神经形态器件的制造应尽可能与现有主流CMOS集成电路技术兼容,这将有助于开发更先进、更智能的人工智能系统。近期,南京大学万青与万昌锦团队在SCI期刊《极端制造》(International Journal of Extreme Manufacturing, IJEM)上发表《CMOS-compatible neuromorphic devices for neuromorphic perception ...