本发明提供了一种用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器,其包括两个电极,两个TiN加热电极,TiN加热层,N重掺杂硅层,P重掺杂硅层,锗吸收层,硅本征层,硅倍增层,P轻掺杂硅电荷层;所述N重掺杂硅层,P重掺杂硅层位于两侧且分别与两个电极连接,所述硅倍增层,P轻掺杂硅电荷层,硅本征层依次位于N重掺杂硅层,P重...