在激光诱导选择性发射极重掺中主要面临两个问题,一方面,激光掺杂对于表面硼源浓度有一定要求,在激光掺杂前获得足够的硼源浓度是前提。另一方面,由于硼原子的惰性,激光掺杂时需要的激光功率相对较高,高功率有可能对硅片引入额外损伤,从而影响整体效率。 针对以上问题,制造企业不断推出新的方法来解决: 以正泰2020年专利(...
另一方面,由于硼原子的惰性,激光掺杂时需要的激光功率相对较高,高功率有可能对硅片引入额外损伤,从而影响整体效率。 针对以上问题,制造企业不断推出新的方法来解决: 以正泰2020年专利、为例,为了解决一次扩硼中激光硼源浓度不够的问题,其先在硅片正表面金属栅线对应位置处印刷硼浆并烘干,提高硼源浓度,然后再用激光...
Topcon电池一次硼扩激光直掺工序是指利用激光等离子体对硼进行扩散,将硼原子掺入到硅晶片中,以改变硅晶片的导电性质。通过直接掺杂硼原子,可以使硅晶片形成p型区域,与n型区域形成pn结,从而实现电流的流动。 二、工序步骤 1. 清洗:首先,需要将硅晶片进行清洗,以去除表面的污垢和杂质,确保后续工序的顺利进行。 2. ...
在激光诱导选择性发射极重掺中主要面临两个问题,一方面,激光掺杂对于表面硼源浓度有一定要求,在激光掺杂前获得足够的硼源浓度是前提。另一方面,由于硼原子的惰性,激光掺杂时需要的激光功率相对较高,高功率有可能对硅片引入额外损伤,从而影响整体效率。 针对以上问题,制造企业不断推出新的方法来解决: 以正泰2020年专利(...