而第三代半导体,发明并实用于本世纪初年,涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特性的新兴半导体材料,因此也被成为宽禁带半导体材料。 二、带隙 第一代半导体材料,属于间接带隙,窄带隙; 第二代半导体材料,直接带隙,窄带隙; 第三代半导体材料,宽...
1.2 第二代半导体材料: 第二代半导体材料主要包括化合物半导体材料,例如砷化镓(GaAs)、铟锑化物(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP);玻璃半导体(非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;以及有机半导体,如酞菁、铜酞菁、聚丙烯腈等。 这些材料主要...
第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率和发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件和发光器件的优良材料。由于信息高速公路和互联网的兴起，还广泛应用于卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航等领域。例如，与第一代半导体相比，砷化镓(GaAs)可用于光电子领域，特别是在红外激光器和高亮度红光二极管中。进入...
中国三代半导体材料中和全球的差距一、中国以硅为代表的第一代半导体材料和国际一线水平差距最大1.生产设备几乎所有的晶圆代工厂都会用到美国公司的设备,2019年全球前5名芯片设备生产商3家来自美国;而中国的北方华创、中微半导体、上海微电子等中国优秀的芯片公司只是在刻蚀设备、清洗设备、***等部分细分领域实现突破,...
第二代半导体材料的特点和主要功用:以GaAs (砷化镓)、InP (磷化铟)等为代表的第二代半导体材料,以砷化镓为例,相比于第一代半导体,具有高频、抗辐射、耐高温的特性,砷化镓晶片与硅晶片主要差别,在于它是一种“高频”传输使用的晶片,由于其频率高,传输距离远,传输品质好,可携带信息量大,传输速度快,耗电量低,适合...
半导体是一种电子能带介于导体和绝缘体之间的物质,具有导电性和不导电性的双重特性,是电子学和信息技术的重要基础材料之一。 二、一代半导体 一代半导体主要采用硅材料制成,具有稳定的物理特性和较高的机械强度,因此被广泛应用于集成电路、光电器件和太阳能电池等领域。然...
一、一代半导体材料 一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,是最早被研究和应用的半导体材料。它们主要用于集成电路、晶体管、太阳能电池等领域。一代半导体材料的特点是价格低廉,易于加工和制造,但其导电性能较差,不适用于高频、高速、高功率等领域。 二、二代半导体材料 二代半导体材料以化合物半导体材料为主,如...
第二代半导体材料:砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角,并显示其巨大的优越性。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件,同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。
1. 原材料:一代半导体主要采用硅单晶,而二代半导体则使用化合物半导体,如砷化镓、磷化氮等。三代半导体则使用的是新材料,如碳化硅、氮化镓等。 2. 加工工艺:一代半导体加工复杂,成本高昂;二代半导体技术相对简单,但刻蚀和沉积等技术要求高;三代半导体技术更为先进,可以采用微纳加工技术制备,具有快速响应、...
1.半导体材料代际区分:第一代半导体:以硅(Si)、锗(Ge)为代表; 第二代半导体:以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表; 第三代半导体:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe)等宽带半导…