低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSIX-Hを採用し、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現と、オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注2]しました。また、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引継いでおり、スイッチング用途における要求...
Gs 109 Ts 1012 Ps 1015 Es 1018 RCTL_GLOBAL_COUNT 数 なし 1 K 103 M 106 G 109 T 1012 P 1015 E 1018 資源制御に倍率値を使用できます。次の例は、倍率付きのしきい値を示します。task.max-lwps=(priv,1K,deny)注...