半導体大手のロームと東芝は8日、電気自動車(EV)などで使われるパワー半導体の製造で協業すると発表した。互いに強みとする分野に重点的に投資し、生産を分担することで効率化を進める。半導体の国内供給網の…
株式会社FLOSFIA(フロスフィア)は、独自成膜技術であるミストドライ®法をコア技術として、圧倒的な材料ポテンシャルを有する最先端半導体材料「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」を用いたGAO®パワーデバイスの研究開発、製造、販売を行っています。
NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱…
SEM プランビュー画像、SEM 断面画像 TEM 断面画像、材料解析 トレンド解析 – 概要レポート: 年間 3 本 特許ランドスケープサマリー: 年間 1 本 解析チームによるオンサイトワークショップ: 年間 1 回 リアルタイム更新: 公開前の解析途上のプロジェクト資料 (PEF レポート、解析チームに...
STシステムは、ディスクリートパワー半導体の静的パラメータの安定性やドリフトを検証する試験装置です。 このシステムは、ストレスシーケンス(加熱および冷却)の前後に最大60個のデバイスの同時計測を一度の開始コマンドで実行することができます。最大出力は1チャンネルあたり100Wです。テ...
半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(以下、UMC)の日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社(本社:神奈川県横浜市、代表取締役社長:河野 通有、以下、USJC)は、本日300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトラン...
【解決手段】直流正電位側入力電極(P)側のパターン、直流負電位側入力電極(N)側のパターン、および、交流出力電極(U)側のパターンを積層化した主回路基板上に、対となる上アーム側パワー半導体素子12と下アーム側パワー半導体素子13を、上アーム側パワー半導体素子及び下アーム側パワー半導体素子そ...
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xEVインバータ用新世代Si IGBT ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長兼CEO:柴田 英利、以下ルネサス)は、このたび、xEV(電動車)向けのインバータ用パワー半導体として、新世代のSi(シリコン)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ...
サムスン半導体は、プロセッサや5Gモデム、メモリーなど主要な半導体を通じて、次世代モバイルデバイスを5Gネットワークに接続し、人工知能の演算を可能にします。 人工知能を基盤とする最先端のイメージ処理技術や新次元の通信速度は、コンテンツを作り共有する視覚的なコミュニケーションを楽し...