本研究では,GaN基板上にホモエピタキシャル成長によって作製したNi-GaN縦型ショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性を調べた.273K～573Kにおいて,n値は1.02となり,1に非常に近い値を示した.順方向電流-電圧特性から求めた飽和電流密度の温度依存性のRichardsonプロットから障壁高さを...