電子デバイス. Electron Devices . 2012,第32期 机译:在γ-Al_2O_3/ Si衬底上外延PZT薄膜的超声换能器阵列的制作与发射/接收特性。 3. γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性 [J] . 尾崎勝弥, 西村将人, 鈴木啓佑, 電子...