理想的なオペアンプでは、入力電圧Viが0Vのとき、VIN(+)端子とVIN(-) 端子のDC電圧は完全に一致しますが、現実の製品では2つの端子で入力のインピーダンスや入力バイアス電流の違いがあり、これにより2つの入力端子間にはわずかに電圧のずれが生じることが...
測定 電流 IZ (mA) 接触 放電 気中 放電 CSLZ5V6 SOD-962[注3] 0.62 × 0.32 × 0.3 ±30 2.5 5.6 5 9 0.25 CSLZ6V2 6.2 10.5 0.38 CSLZ6V8 6.8 14.5 0.5 CSLZ8V2 8.2 17 0.62 CSLZ10V 10 18 0.5 CSLZ12V ±20 12 28 1.5 CSLZ16V ...
一方向に電流を流す2端子の半導体 半導体と金属の接合部から形成されたショットキーダイオードは、整流ダイオード(0.6V)よりも電圧降下が少なく(0.15V〜0.4V)、回復時間も短くなっています。このため、効率を高めるために、SMPS(スイッチモード電源)や高速スイッチングアプリケーションでよ...
インフィニオンは、診断およびシステム保護のための電流モニター機能と可変電流制限機能をワンチップにモノリシック集積した電圧レギュレータの開発に、世界で初めて成功しました。こ うした機能を集積化することにより、カーラジオの信頼性向上が実現します。TLF 4277のモニター機能は不具合...
また、固相In組成増大に伴うエミッタべース界面の伝導帯オフセット量の減少により、電流利得特性が向上することも確認した。%Because of the significant increase of data traffic, there is now a strong demand for reducing the power consumptions of ICs for optical communications, such as ...
ブレークダウン電圧(VDS) 650V 750V 1200V オン抵抗(最大) 63mΩ、72mΩ 78mΩ 28mΩ、87mΩ ドレイン電流(最大) 30A 30A 30A、100A 製品リファレンス SCT040HU65G3AG SCT055HU65G3AG SCT060HU75G3AG SCT020HU120G3AG...
本研究では,GaN基板上にホモエピタキシャル成長によって作製したNi-GaN縦型ショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性を調べた.273K～573Kにおいて,n値は1.02となり,1に非常に近い値を示した.順方向電流-電圧特性から求めた飽和電流密度の温度依存性のRichardsonプロットから障壁高さを...
一方向に電流を流す2端子の半導体 半導体と金属の接合部から形成されたショットキーダイオードは、整流ダイオード(0.6V)よりも電圧降下が少なく(0.15V〜0.4V)、回復時間も短くなっています。このため、効率を高めるために、SMPS(スイッチモード電源)や高速スイッチングアプリケーション...
参考資料 OPA391, OPA2391, OPA4391 JAJSKH3E – DECEMBER 2020 – REVISED OCTOBER 2024 OPAx391 高精度,超低 IQ,低オフセット電圧,e-trim™ オペ・アンプ 1 特長 • 低 IQ: 24µA • ゲイン帯域幅積:1MHz • 低い入力バイアス電流:10fA • 低いオフセット電圧:±45µV (...
110dB • 低いバイアス電流:±10pA • レール ツー レール入出力 • 多重化対応 / コンパレータ入力 – 電源レールまでの差動入力でアンプが動作 – アンプを開ループで,またはコンパレータとして使 用可能 • 広い帯域幅:11MHz GBW,ユニティ ゲインで安定 • 高いスルーレ...