等离子增强化学气相淀积是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持 化学反应进行薄膜的一种工艺方法。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游 离基,在表面发生化学反应生成薄膜物质,并不断受到离子和电子轰击,容易迁 移、重排,使得淀积薄膜均匀性好,填充小尺寸结构能力强。 16.以铝互连系统作为一种电路芯片的...
16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几个方面来提高其台阶覆盖特性?真空蒸镀:通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特性。P214磁控溅射:充分升高衬底温度,在衬底上加射频电压,采用强迫填充技术,采用准直溅射技术。P224(tn枉乾乌码 入曜...
集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案 下载积分:1500 内容提示: 第一单元: 3.比较硅单晶锭 CZ,MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点。 答:CZ 直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和...
集成电路制造外延工艺衬底淀积习题 第一单元:3.比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂,受杂...
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案.是在高真空溅射时,在衬底正上方插入一块高纵横比孔的平板,称为准直器。溅射原子的平均自由程足够长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此,。。。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
集成电路制造技术原理与工艺 王蔚 习题答案 目录 第一单元 习题 2 第二单元 习题 4 第三单元 习题 12 第四单元 习题 16 第五单元 习题 22 shanren 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 15 3 3×10 atoms/cm 。当熔料的90
16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几个方面来提高其台阶覆盖特性 真空蒸镀:通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特性。P214 磁控溅射:充分升高衬底温度,在衬底上加射频电压,采用强迫填充技术,采用准直溅射技术。P224 是在高真空溅射时...
16.以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几个方面来提高其台阶覆盖特性? 真空蒸镀:通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特性。P214 磁控溅射:充分升高衬底温度,在衬底上加射频电压,采用强迫填充技术,采用准直溅射技术。P224 是在高真空溅射...
等离子增强化学气相淀积是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持 化学反应进行薄膜的一种工艺方法。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游 离基,在表面发生化学反应生成薄膜物质,并不断受到离子和电子轰击,容易迁 移、重排,使得淀积薄膜均匀性好,填充小尺寸结构能力强。 16.以铝互连系统作为一种电路芯片的...
集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案