如在封装体叠层和III-V族化合物半导体制程中，由于超薄器件晶圆具有柔软性和易碎性，因此需要一种拿持系统和支撑系统确保薄晶圆可以在工艺设备上进行加工；在扇出型集成封装工艺中，重构的塑封料晶圆翘曲较大，也需要临时支撑系统来提高封装精度。
一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法说明:本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法,主要步骤有:1)在第一临时载片正...专利查询请上爱企查
⑧键合集成工艺:将制备好集成互连结构6的超薄半导体晶圆1与其他超薄半导体晶圆7或芯片8进行集成工艺,其他超薄半导体晶圆或芯片为si、gaas、gan、sic、inp等材料器件的任意一种或几种,如图8所示。 ⑨将集成后的晶圆与第二载片进行分离:将键合集成完的晶圆结构正面朝下放置在加热台上进行加热,加热温度为200℃-300℃,...
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