测试方法 闩锁测试实际是通过电流脉冲激励于非电源（输入、输出、输入/输出等）管脚或者施加过电压脉冲于电源管脚来评估芯片抗闩锁效应的能力，即过电压测试V-test及过流测试I-test。电源过电压测试V-test 所有输出管脚置于悬空状态，输入、输入/输出管脚置于逻辑高电平，预置管脚置于固定状态。量测每个电源管脚电流。待测电源管脚施加电压
首先需要测试芯片正常工作时的电流并记录,然后按以下操作手法进行测试: 1) 芯片接电源,其它引脚接高电平,待测引脚灌入正电流,查看电源电流是否超过原先电流+10mA。超过算fail,没超过算pass 2)芯片接电源,其它引脚接低电平,待测引脚灌入正电流,查看电源电流是否超过原先电流+10mA。超过算fail,没超过算pass 3) 芯...
A minimum of three (3) devices shall be subjected to latch-up testing using theI-testand supply overvoltage test. It is allowed to partition I-test, supply overvoltage test, or test combinations by using at least 3 fresh devices for each partition.All devices to be latch-up tested must ...
芯片Latch-up测试方法主要采用以下步骤进行: 准备测试样品,确保芯片处于正常工作状态。 设定测试环境,包括温度、湿度等条件,模拟实际使用场景。 施加触发电压或电流,观察芯片是否发生Latch-up现象。 记录测试数据,分析芯片的抗Latch-up能力。 根据测试结果,评估芯片的可靠性,并给出改进建议。 测试过程中需要注意安全防护...
Latch-up 测试的具体方法是通过向芯片的输入/输出引脚注入高电流，模拟实际使用中可能出现的过电流或电磁干扰的情况，然后观察芯片是否出现 latch-up 现象。如果芯片能够正常工作，即说明它具有良好的 latch-up 抗性;反之则说明芯片存在 latch-up 风险。芯片测试座 芯片测试座(Chip Test Socket)，也称为 DUT Socket(...
首先，是环境温度，有两种，第一种就是在常温进行测试；另外一种就是规定温度下的测试，如最大运行温度，最大运行结温，或者是客户指明的温度等等。这一条件，只需要告诉第三方实验室即可设置。然后呢就要进行Latchup的测试，主要分为3个部分，其实可以总结为两部分，一是电流测试，另一个是电压测试：1.电流测试 ...
测试方法是AEC Q100-004文件，这是AEC Q100文件的第4个附件。附加需求：有关如何执行LU测试的详细信息，请参见附件004的过程。LU前后要在室温和高温下进行TEST测试。AEC Q100-004 REV-D IC LATCH-UP TEST 在AEC Q100认证的IC器件上进行的所有栓锁测试都应符合最新版本的JEDEC EIA/JESD78规范，并具有以下说明和...
1.2 ESD Latch Up测试流程 测试方法与标准 ESD-HBM模拟人体静电释放的过程,测试模型和放电模型如下: ESD-HBM测试方法方法一方法一适用于所有IO与芯片内部电源域的关系已知的测试,优点是可减少测试量,缺点是分组方式稍显复杂。参考JS-001-2017:Alternative Procedure C (following Table 2A)部分 2.1.1.1 测试步骤第1...
Latch-up测试是集成电路设计中的一个重要环节，本文主要介绍测试流程以及防护设计。在测试流程方面，标准JESD78E将测试分为两种：电流测试（I-test）和电压测试（V-test）。I-test又包括正向注入和负向抽取，分别模拟非电源管脚在浪涌电压作用下是否会产生寄生三极管的开启。V-test则模拟电源浪涌是否造成...
所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项...