第em3/em代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1eV)和砷化镓(GaAs)(1.4eV)的宽禁带半导体材料.它具备禁带宽度大,击穿电场高,热导率大,电子饱和漂移速率高,抗辐射能力强等优越性能,是固态光源,下一代射频和电力电子器件的"核心",在半导体照明,消费类电子,5G移...