在磁控溅射Niox的过程中,退火温度是一个重要的参数,它会影响薄膜的结晶度、晶粒大小、表面形貌和电学性能等方面。 首先,退火温度的选择与薄膜的应用有关。在一些情况下,较高的退火温度可以提高薄膜的结晶度,改善其电学性能,但在其他情况下,过高的温度可能导致薄膜氧化、晶粒长大过度等问题。因此,需要根据具体的应用...
要:采用对向靶磁控溅射法在FTO导电玻璃基底上制备了TiO2薄膜,分别在450℃、500℃和550℃条件下 对TiO2薄膜进行退火处理;利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)测试手段分析了不同退火温度对TiO,薄膜晶 体结构与表面形貌的影响 以异丙醇(iso—propanol,IPA)为目标物,研究了所制备TiO2薄膜的光催化性能,并分析 ...
退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响 维普资讯 http://www.cqvip.com
薄膜晶体质量得到显著提升；在氧气气氛中进行后退火，合适的后退火温度有利于氧化镓薄膜重新结晶、增大晶粒尺寸，能够有效修复薄膜的表面态和点缺陷，对于改善薄膜晶体质量有明显优势。关键词：β Ｇａ２Ｏ３薄膜；宽禁带半导体；磁控溅射；衬底加热温度；高温退火；晶体结构；表面形貌中图分类号：ＴＢ３８３．２；ＴＱ...
退火温度对磁控溅射Ti02薄膜结构及性能的影响