第三代化合物半导体材料碳化硅(SiC)具有宽禁带、高载流子迁移率等优良的物理特性,若用碳化硅材料制成的半导体器件去代替硅基电力电子开关,可以使电力电子系统效率优化、功率密度得到提升,并降低系统成本,或为终端客户在产品生命周期内创造更大收益。我们认为,在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长,叠加SiC渗透...
$东尼电子(SH603595)$ [cp]【碳化硅器件:百亿美元赛道,谱写后硅基IGBT时代电力电子应用新篇章】中金 成乔升/李学来等:受制于上游原材料供应较少,短期SiC器件供需仍有望维持紧张。我们测算,2021年全球6英寸SiC衬底年产能在51万片,并在积极扩产之中,2022年新能源车+光伏应用有望带来4.5万片/月(54万片/年)6寸...