g-C3N4的VB位于-1.1 eV,CB位于1.57 eV,因此其氧化还原电位为2.67 eV。 氧化还原电位是衡量半导体材料光催化活性的重要指标。一般来说,半导体材料的氧化还原电位越高,其光催化活性越强。这是因为具有更高氧化还原电位的半导体材料可以吸收更长的波长的光,并将更多的光能转化为电能。 g-C3N4的氧化还原电位处于可见光...
然而,迄今为止,还没有合成出理想的凝聚态结构,并且生长的聚合物具有丰富的结构和表面缺陷,使得g-C3N4成为多相催化的一个很有前景的载体。 北京科技大学与波鸿鲁尔大学的团队采用两步热合成法将不同负载量的Cu单原子锚定在g-C3N4基体上,并以O2为氧化剂,在温和条件下应用于环己烯液相氧化反应。Cu的氧化态为Cu+,...
在诸多的非贵金属催化剂中,氮掺杂石墨烯(N-doped graphene)催化剂因其成本低、催化活性高和稳定性好在燃料电池技术领域拥有潜力。 采用Hummer氧化法制备氧化石墨烯,经超声剥离得到氧化石墨烯溶胶,将氧化石墨烯溶胶与不同添加量的双氰胺混合均匀后,经过水热法制备出催化性能不同的氮掺杂石墨烯催化剂。研究了以不同化...
氧化石墨烯量子点修饰氧掺杂多孔g-C3N4是一种有潜力的纳米复合材料,具有在光催化、光电子器件等领域应用的前景。氧化石墨烯量子点和氧掺杂多孔g-C3N4分别具有优异的光电特性和光催化活性,通过将它们组合起来,可以进一步增强材料的性能。 氧掺杂多孔g-C3N4的制备:氧掺杂多孔g-C3N4可以通过溶液法或热解法等方法制备。其...
近日,汕头大学鲁福身/夏红课题组报道了一种具有多金属位点的0D/2D杂化材料(铜-铁双金属氧化物量子点/g-C3N4),用于光-芬顿催化降解水中抗生素污染物。铜-铁量子点间的协同可以高效地促进了光生电荷的分离,调节抗生素在催化剂表面的吸...
因此,通过调控g-C3N4的结构和形貌可以有效提高其光催化氧化还原性能。 其次,通过调控g-C3N4的表面性质,可以增强其环境催化性能。 g-C3N4的表面性质直接影响其各种催化反应的速率和选择性。例如,通过在g-C3N4表面修饰共价有机框架材料可以增加其特定催化反应的催化活性和选择性。此外,利用介孔材料包裹g-C3N4可以增加其...
化学氧化g-C3N4光催化剂的合成及其性能 下载积分:499 内容提示: 化学氧化 g—C3 N4光催化剂的合成及其性能 胡文丽 ,陈卫 ,刘磊 ,崔玉民 , (1.阜阳幼儿师范高等专科学校,安徽 阜阳236015;2.阜阳师范学院 化学与材料工程学院,安徽 阜阳236037; 3.安徽理工大学 化学工程学院,安徽 淮南 232001) [摘要]以二氰二...
g-C3N4光催化氧化还原性能调控及其环境催化性能增强的中期报告概述近年来,随着环境污染和能源危机的加剧,光催化技术作为一种环保、高效的污染治理和能源利用技术受到了广泛关注。其中,g-C3N4作为一种具有天然资源、环境友好等优点的半导体材料,因其良好的光催化性能在光催化技术中得到了广泛应用和研究。本文主要介绍了近期...
博士学位论文DOCTOI{AI.DJSX￡jc‘1、ATIf)、博士学位论文g-63N4光催化氧化还原性能调控及其环境催化性能增强论文作者:**辉指导教师:**知教授学科专业:物理化学研究方向:光催化华中师范大学化学学院(系)2015年5月一爨博士学位论丈DOCTORALDTSSERTATIONDissertationTuningPhotocatalyticRedoxAbilityofg-C3N4forItsEnvironmental...
要点1.作者报道了一种可行的金属-配体配位策略,构建了基于硼掺杂g-C3N4(BG)纳米片的光氧化纳米酶,该纳米酶可在中性条件下工作。 要点2.作者使用两种不同的配体(PEI和Cit-PEI)对BG纳米片进行了功能化,建立与Cr3+的配位。在Cr3+存在下,由于不同的配位结构,TMB在中性pH下的氧化活性可以通过接枝配体调节。