传统半导体材料Si和宽禁带半导体材料SiC、GaN的对比如下图所示。 从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带半导体GaN的禁带宽度和SiC差不多为3.42电子伏特。正是因为SiC和GaN具...
吴晓华表示，临港在宽禁带半导体领域，到2026年能实现设备材料及晶圆制造规模超100亿元、模组器件规模超100亿元的“双百亿”目标，将临港新片区建设成为全国宽禁带半导体产业链最全、创新能力最强、应用生态最好的基地。打造产业生态赋能园区企业 上海是全国集成电路发展高地，而临港又是上海打造的又一个集成电路聚集区。吴...
宽禁带半导体材料是被称为第三代半导体材料。半导体材料 随着微波器件及光电子器件的发展，Ⅲ-Ⅴ族展，但电子学的发展对器件提出了愈来愈高的要求，特别是需要大功率、高频、高速、高温以及在恶劣环境中工作的器件。例如，高性能军用飞机及超音速琶机发动机的监控系统要求在300℃下长期工作，而一般的器件只能在100℃下...
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,和氮化镓(GaN)都具有宽禁带宽度的特性,被称为第三代半导体材料。传统半导体材料Si和宽禁带半导体材料SiC、GaN的对比如下图所示。 SiC、GaN的参数对比 从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带...
随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展，宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升，宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。在...
3月29日,2024上海全球投资促进大会宽禁带半导体产业链投资机遇分享会上,临港新片区党工委副书记吴晓华表示,随着新能源汽车、储能、光伏等产业快速发展,宽禁带半导体成为集成电路产业发展的热点,尤其是碳化硅在新能源汽车和储能领域、氮化镓在消费电子和射频领域,均处于爆发阶段。 宽禁带半导体也被称为第三代半导体,指的是...
1.1宽禁带半导体的概念和发展 宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。
氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)、金刚石等宽禁带半导体是当前国际上公认的战略性先进电子材料。其中,GaN作为宽禁带半导体的代表,具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等优越的材料特性,是短波长光电子器件、微波射频器件和功率器件的“核芯”,已在照明、显示、5G移动通信、...
Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁 2020-12-21 15:48:57 浅谈宽禁带半导体行业概况 对于宽禁带半导体行业目前概况,吕凌志博士直言,宽行业主要有衬底、外延、器件三大段,由于每部分的物态形式、设备控制都不一样,要想做好这个行业的MES软件,就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。