多孔性硅氧化隔离是将硅片在氟化氢溶液中进行阳极处理，采用适当的电流密度，则硅表面即形成所谓多孔性硅层。多孔性硅层具有非常容易氧化的特性，因此，有选择地使作隔离部分用的硅具有多孔性，然后在湿氧中进行热氧化。多孔性硅氧化为厚绝缘层所需的时间比直接使硅氧化的时间大为缩短。发展趋势 用IPOS技术试制了超...