画出其符号;(2)其夹断电压UGsoD约为多少?(3)漏极饱和电流Ipss约为多少Ip/mA1V8U_∞=0v6-1V-2V20Uo/V 相关知识点: 试题来源: 解析 解答:(1)该管为N沟道耗尽型场效应管。符号:G=1=1^(15);7=18.(2 U_(GSG)=-3V(3) I_(DSs)=6mA 反馈 收藏 ...
如图为N沟道和P沟道两种结型场效应管的符号及特性曲线,下面做一个简单的比较,正确的是()。【图片】A.电路符号上,N沟道的箭头是指向沟道,而P沟道则是从沟道指出。B.设源极为参考点,并设电压、电流为关联参考方向。在转移和输出特性曲线中,N沟道的UGS、UGS(off)为负,P沟道的UGS、UGS(off)为正。C.在转移...
题目 电路如图所示,已知场效应管gm=2ms,试求: (1)V1、V2,管静态工作点电流及UDQ; (2)差模电压放大倍数Aud。(注:图中I0为场效应管构成的恒流源简化符号;电路中V1、V2管的静态栅源偏压合理,即有UGS(off)<UGSQ<0) 相关知识点: 试题来源: 解析 反馈 收藏 ...
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过V(栅源电压)来控制I（...