化学气相淀积方法简称CVD法，是以气相原材料经化学反应而淀积固体薄膜的方法。由于制备的薄膜能与基体紧密附着，且几乎对基体的几何形状没有依赖关系，改变气体成分或淀积条件(如温度、气压等)，即可改变成膜的化学或物理性质，对厚度又易于实施控制，因而CVD方法在材料研制过程中得到了广泛的应用。按照反应条件，CVD法可...
化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种用于制造各种材料,包括半导体、陶瓷、金属和合金等的工艺技术。在CVD过程中,气态或蒸汽态的化学物质在基材表面发生化学反应,形成固态薄膜。这一过程通常在高温下进行,以促进化学反应的发生。CVD技术在半导体制造中尤为重要,用于沉积绝缘材料、金属和其他类型的薄膜。
化学汽相淀积本质上是一种气一一固表面复相化学反应,对于开管气流法制备外延单晶来说,其过程可分为如下步骤: 反应剂气体混合物向淀积区输运;反应物分子向淀积区空间、向单晶生长表面转移;反应物分子(和某些非反应物分子) 被表面吸附;吸附物之间或吸附物与气态物种之间在表面上或表面附近发生反应,形成成晶粒子和气...
化学气相淀积的工艺流程 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种通过化学反应在固体表面上生成薄膜的方法。其工艺流程可以简单描述为以下几个步骤: 1.基材准备:选择合适的基材,如硅片、玻璃或金属衬底,并进行表面处理,以提供一个干净平整的表面。 2.反应室装载:将经过准备的基材放置在反应室中,确保其处于...
常压化学汽相淀积 图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或...
1、第六章第六章 化学气相淀积化学气相淀积 化学气相淀积化学气相淀积 化学气相淀积(化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition),简称),简称CVD。 是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气,以合理的流速引入反应室态反应剂的蒸气,以合理的流速引入反应室,在衬底表面...
化学气相淀积还有很多不同的类型呢。有一种叫做常压化学气相淀积。这个就像是在普通的大气压下进行的魔法表演。这种方式相对来说比较简单,设备要求没有那么高,就像在平地上搭个小舞台就可以开始表演了。不过呢,它也有一些小缺点,比如说可能会有一些杂质混进来,就像表演的时候可能会有一些小虫子飞进舞台一样。 还有低...
化学液相淀积化学液相淀积 化学液相沉积(LPD)是一种制备功能薄膜的液相外延技术,其基本原理是从金属氟化物的水溶液中生成氧化物薄膜。通过添加水、硼酸或者金属Al,使金属氟化物缓慢水解,其中水直接促使生成氧化物,硼酸和铝作为氟离子的捕获剂,促进水解,从而使金属氧化物沉积在基体表面。 化学液相沉积具有工艺简单、成膜...
化学气相淀积指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。化学气相淀积CVD (Chemical Vapor Deposition)化学气相淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在晶圆表面发生化学反应，...