光电子技术安毓英习题答案(全) PDF 下载积分: 900 内容提示: 第一章 1. 设在半径为 Rc的圆盘中心法线上 距盘圆中心为 l0处有一个辐射强度为 Ie的点源 S 如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 dRdr解 因为 deeI 且 2c2000212cos12sinRllddSdc 所以 2c20012eeeRllIdI 2. 如图所示 设小面源...
华农-光电子技术安毓英习题答案(全)PDF
光电子技术安毓英习题答案.pdf,光电子技术安毓英习题答案 (全) 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑 体的辐射出射度M。试有普朗克的辐射公式导出M与温度 T的四次方成正比,即 M=常数 T4 这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为 -8 2 4 5.67 10 W/mK 解
光电子技术安毓英第五章课后习题参考答案1.pdf,5.1 以图中p 型半导体器件为例,栅极加正电压超过MOS 晶体管的开启电 压时,在半导体金属界面会形成深度耗尽层,称为电子的势阱。当有 光照时,光生电子会聚集在势阱中,形成电荷存储。 以图中三相CCD 结构为例,相邻三个栅极
这是光电子技术安毓英版本的课后习题答案,答案里有解题思路,答案很全,这本书也是光电子学、光电子技术方面入门之书。 光电子技术 光电子学2019-09-09 上传大小:286KB 所需:46积分/C币 研究生《光电子技术》课件 研究生《光电子技术》课件,山东科技大学《光电子技术》课件,第一章 ...
光电子技术第三版安毓英刘继芳等著习题答案完整版
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pdf 1 第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为 ，且 ()⎪⎪⎭⎫ ⎝ ⎛+− =−===Ω⎰22000212cos 12sin c R R l l...
光电子技术安毓英第五章课后习题参考答案1.pdf,5.1 以图中p 型半导体器件为例,栅极加正电压超过MOS 晶体管的开启电 压时,在半导体金属界面会形成深度耗尽层,称为电子的势阱。当有 光照时,光生电子会聚集在势阱中,形成电荷存储。 以图中三相CCD 结构为例,相邻三个栅极
光电子技术安毓英第一章课后习题参考答案1
4.1 比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。答：光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是hν，h是普朗克常数, ν是光波频率，...