本申请提供一种晶圆键合方法及制造的键合晶圆,芯片和半导体器件,该晶圆键合方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆上具有第一介质层,第一介质层具有第一凹槽;提供第二晶圆,第二晶圆上具有第二介质层,第二介质层具有第二凹槽;在第一凹槽内形成第一导电层和第一界面改性层,在第二凹槽内形成第二导电层和第二界面改性层;...
1、本申请针对相关技术的缺点,提出一种晶圆键合方法及制造的键合晶圆、芯片和半导体器件,用以解决相关技术中晶圆键合结构的键合界面存在键合缺陷的问题,可以降低晶圆表面键合处理质量难度,提高混合键合互连性能。 2、本申请提供一种晶圆键合方法,包括以下步骤: 3、提供第一晶圆,所述第一晶圆上具有第一介质层,所述第一...