1、xps电子结合能对照表BE Lookup Table for Signals from Elements and Common Chemical Species1.0 1.0 1.0Bi Ce Co6p1 4f 3d3.9 4.0 4.0Pt Ir Pm5d 5d 4f10.0 10.0 10.0P Ti V3p 4s 4s18.0 18.0 18.0At Ce Pr6s 5p 5p24.0 Kr 24.0 Sn 25.0 Th4s 4d 6p134.0 35.0 35.2K Re Mo3s 5p3 4p44.0 Ra...
可是那样的话其他的几种元素就都不对了，最后按照Si元素标的，其他的可以，就是C那里有点问题 ...
材料x射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例例:将剂量为lml07ionscm2,能量为45kev的碳离子注入单晶硅中,然后在1100c 退火2h进行热处理。对单晶硅试样进行xpsm试,试对其中的cis高分辨扫瞄谱 进行解析,以确定各种可能
首先扫描全谱,由于荷电存在使结合能升高,因此要通过c结合能284.6eV对全谱进行荷电校正,然后对感兴趣的元素扫描高分辨谱,将所得结果与标准图谱对照,由结合能确定元素种类,由化学位移确定元素得化学状态,为了是结果准确在每一次扫描得结果分别进行荷电校正。XPS谱图中化学位移的分析一般规律为: 1、原子失去价电子或因...
图2 各种有机化合物类型中氧 1s 结合能的平均值和范围[3] 附加说明: C-OH(脂肪族):平均 532.9 eV,最小 532.7 eV,最大 533.1 eV C-OH(芳香族):533.6 eV 还请注意,PDMS的 Si 2p3/2 为 101.79 eV(Si 2p = 102.0 eV),C 1s 为 284.38 eV,O 1s 为 532.00 eV。如果我们将 C 1s 移至 285.0 ...
比如,样品在深度剖析过程中,C元素成分逐渐消失,样品中含有SiO2成分,而且在刻蚀过程中SiO2成分一直存在。那么,此样品深度剖析数据校正就可以选择SiO2成分作为内标。通过查资料,得到Si元素SiO2成分化学态对应结合能约为103.5ev。具体校正时,以SiO2化学态103.5ev为基准,即可完成深度剖析数据校正。 那么,问题又来了,深度剖析...
请教大家，我的样品大概含0.02%的C元素。文件中显示C的1s峰对应结合能是283.03eV。参照C的1s标准谱...
xps电⼦结合能对照表 1.0Bi6p1 3.9 Pt 5d10.0P 3p 18.0At 6s 24.0Kr 4s 34.0K 3s 44.0Ra 6s 5 2.0Tm 5s 65.7V 3s 1.0Ce4f 4.0 Ir 5d10.0Ti 4s 18.0Ce 5p 24.0Sn 4d 35.0Re 5p3 44.0U 6s 5 2.3Yb 5s 66.0Ni 3p 1.0Co3d 4.0Pm 4f 10.0V 4s 18.0Pr 5p ...
然后打开 XPSPeak 引入数据,选择本底类型,一般为 Shirley 类型。接着进行加峰操作,根据碳离子注入单晶硅后可能形成的价键,如 C-C、C-Si、C-H 等,确定初始峰位并添加。 完成加峰后进行拟合,多次点击“Optimise”按钮优化拟合效果,观察拟合后总峰与原始峰的重合情况。最后查看拟合参数,如峰位、半峰宽、峰面积等...
Si 3p 9.0 Ru 4d 17.0 La 5p 23.4 Ta S2 33.0 La 5s 42.1 Cr 3p 51.0 Mg NtvOx2 62.0 Mo 4s 78.3 In 4p 2.8 3.0 W Ge 5d 4p 9.0 9.0 Sb Si 5s 3s 17.0 17.0 Th Xe 6p3 5s 23.5 23.5 Ca Yb 3p 5p 33.2 Ge 33.4 Lu O2 5p 42.2 42.7 As Re 3d3 4f5 51.4 Os 51.5 Pt 4f 5p3 ...