WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理? WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导) 准稳态光电导衰减法(QSSPC)和微波光电导衰减法(MWPCD)的比较? QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量,同时可以结合 SRH模型,得出各种复...
规格 WCT-120MX 加工定制 是 商品编号(bn) WCT-120MX 分类(cat_id) 少子寿命测试仪 测量原理: QSSPC(准稳态光电导) 少子寿命测量范围: 100 ns-10 ms 测试模式: QSSPC,瞬态,寿命归一化分析 电阻率测量范围: 3–600 (undoped) Ohms/s 注入范围: 1013-1016cm-3 感测器范围: 直径40-mm ...
WCT120是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT120MX适用于测试230mm的大硅片 WCT120和WCT-120MX仪器展示了我们独特的测量和分析技术,包括 Sinton Instruments公司在1994年开发的遵从SEMI标准的准稳态光电导( QSSPC)寿命测量方法 WCτ-120仪器使用 QSSPC和瞬态光电导衰减技术,可...
11)量测原理:电池片工作在开路状态,通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值,软件内建双二极管模型回推得到J01,J01, Rshunt等参数 ,也可以通过计算得到电池片的少子寿命值,并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数(最大效率,最大填充因子等) 3、WCT-120...
sinton WCT-120仪器利用QSPC和瞬态光电导衰变技术,测量晶圆的寿命在10ns至10mm之间。QSSPC技术是监测多晶晶圆、掺杂扩散和低寿命样品的理想技术。瞬态光电导衰变技术是在不同处理步骤中监测高寿命样品的理想方法。 sinton WCT120寿命周期测量还产生了暗示的开路电压(相对于照明)曲线,该曲线可与太阳能电池工艺的每个阶段...
SintonWCT-120 1.WaferManufacturing2.原理及應用3.操作(參考操作手冊)4.現階段市面上的Wafer5.WCT-120Application 北京华通HTTR&台北廣集GSI 1 2010.07 WaferManufacturing Sourcefromhttp://www.hscpoly.com/content/hsc_prod/default.aspx2 北京华通HTTR&台北廣集GSI2010.07 Siemensprocess --西門子法 *新硅烷...
WCT-120独特的QSSPC测量法，可以生成与光照IV曲线类似的开路电压曲线，这一曲线能在电池生产的任意阶段获取。通过结合最终的IV曲线，这一工具能对电池制作过程进行数据监控和参数优化。其应用广泛，不仅可用于监控和优化制造工艺，还能用于检测原始硅片的性能、评估表面钝化和发射极扩散掺杂的质量，以及通过得到的类似IV的...
少子寿命测量仪BCT-400测试硅锭BCT-400 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅(锭或块)的少子寿命. 因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数,这个工具直接获得长硅的质量参数。 加入购物车 加入收藏 商品对比 少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片 ...
一、WCT-120测试结果分析与讨论 同一个制程的Multi-Crystalline raw wafer 以PL 为影像可测得以下的图像 Sample 2 Sample 1 Sample 3 由PL 影像可看出亮区越多，Lifetime 愈大，可目视得知Lifetime Sample 2>Sample 3> Sample1。由以下测试结果也可看出lifetime 也是Sample 2> Sample 3> Sample 1。