裁切图形:shift+c 修改通过p产生的连线走向:ctrl+c 创建标尺:k 移除所有标尺:shift+k 拉伸:s 对齐:a 旋转:shift+o 查看图层所有元素:t 切换鼠标是否自动吸附周围元素:g 创建Guard Ring:shift+g 编辑layout子模块:x(鼠标左键双击) 以新的界面编辑选定的layout子模块:shift+x 返回上一层layout:shift+b 版图...
组合多个图形:shift+m 裁切图形:shift+c 修改通过p产生的连线走向:ctrl+c 创建标尺:k 移除所有标尺:shift+k 拉伸:s 对齐:a 旋转:shift+o 查看图层所有元素:t 切换鼠标是否自动吸附周围元素:g 创建Guard Ring:shift+g 编辑layout子模块:x(鼠标左键双击) 以新的界面编辑选定的layout子模块:shift+x 返回上一...
裁切图形:shift+c 修改通过p产生的连线走向:ctrl+c 创建标尺:k 移除所有标尺:shift+k 拉伸:s 对齐:a 旋转:shift+o 查看图层所有元素:t 切换鼠标是否自动吸附周围元素:g 创建Guard Ring:shift+g 编辑layout子模块:x(鼠标左键双击) 以新的界面编辑选定的layout子模块:shift+x 返回上一层layout:shift+b 版图...
Shift + b –> 返回上一层的layout 进阶操作 左侧绘制选择栏中used勾选只显示所用层、NV勾选可只显示某些层,AV勾选显示所有层 有些情况下,对齐和组合的快捷图标是隐藏的,组合的可以通过拖动下方当菜单栏右侧的三个横线以显示 对齐通过右键菜单栏打开 对齐间距对模块以最外层测量为准,对MOS管似乎是以AA为准,...
p–> 添加路径,一般用于金属走线(layout XL下可以直接延展对应边界) Shift+P–> 添加多边形 n–> 切换操作编辑方式,默认90°,在菜单栏中可以观察,90°/45°/任意角度三种模式间切换 m–> 移动组件 Shift + M –> 组合所选中的多个图形(对metal来说,先要保证两者在物理逻辑上是相连接) ...
在Layout界面中,Option->Display Options中(快捷键按E),右上角Gird Controls中可以选择的网格间距,将X Snap Spacing和Y Snap Spacing设置到0.005是常见的操作(也看具体的PDK,例如TSMC28的DRC检查时,会查图形是否在0.005的Grid上,如果出现了偏离0.005倍数,比如0.006这种坐标会报off-grid的DRC错误)。
实操视频讲解见下方B站链接,文字版见后文。 版图技巧分享:模拟IC设计中的软件操作:Cadence Virtuoso Layout 电路版图绘制技巧及其相关快捷键_哔哩哔哩_bilibili 基于上述技巧的放大器(模拟IC)版图绘制全流程分…
具体的,首先是Virtuoso Layout Editor界面的调出。 界面如下: 接下来就是对他们的一一介绍啦~~ 1、窗口标题栏 位于Virtuoso版图编辑器的顶端,它主要用于显示应用名称、库名称、单元名称及视图名称。 2、状态栏 状态栏也在Virtuoso版图编辑器的顶端,但在窗口标题栏之下。
关于Cadence virtuoso Layout Editer的一些实用技巧
先选择未对齐的图形，然后点击Set New Reference and 在layout窗口选择一个对齐点，所有选择的图形就会对齐。当然对齐还有其他的一些设置，但要注意这里的对齐操作是对一个整体而言(如一个instance，polygon等)，如果几个图形需要组合在一起，参与与其他单元的对齐，先将这几个图形make cell或者用attatch（而且被attatch...