サンプル & 購入 ドキュメント CADリソース ツール & ソフトウェア 品質& 信頼性 製品概要 概要 This 10 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a...
サンプル & 購入 ドキュメント CADリソース ツール & ソフトウェア 品質& 信頼性 製品概要 概要 This 10 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a...